E3-1231 V3是英特尔推出的一款高性能桌面处理器，属于第三代Haswell架构，它具备四核心八线程的设计，能够提供强大的多任务处理能力和出色的游戏性能，本文将详细解析E3-1231 V3的配置特点,帮助读者全面了解这款处理器。
核心规格
热设计功耗（TDP）
E3-1231 V3的热设计功耗为84W，相比上一代处理器有所降低，这意味着在相同散热条件下,该处理器可以提供更高的性能。
内存支持
集成显卡
E3-1231 V3集成英特尔HD Graphics 4600显卡，具备不错的图形处理能力,适用于日常办公和轻度游戏。
接口
应用场景
E3-1231 V3适用于以下场景：
Q1：E3-1231 V3与E3-1230 V3有什么区别？
A1：E3-1231 V3与E3-1230 V3相比，主频更高，睿频频率更高，三级缓存更大,热设计功耗更低。
Q2：E3-1231 V3是否支持超频？
A2：E3-1231 V3不支持超频，因为它是一款锁频处理器，如果需要超频,可以选择支持超频的处理器型号。
火箭离得开姚明么？
不能，姚明是火箭夺冠的基石，需要姚明回来。 麦迪还是要等到23号身体检查后才会决定是否复出。 麦迪11月底应该就会复出了，这要看麦迪自己的努力了，只要麦迪复出后尽快融入火箭的体系，加强和队友的交流与配合，相信麦迪能够帮助火箭提升实力，麦迪也能王者归来的！
火箭队昨天客场以97-84击败明尼苏达森林狼队，火箭五人得分上双。 四节比分为23-21， 25-21，20-25，29-17（火箭队在前），火箭目前战绩为7胜5负。 本场比赛火箭始终保持领先，并没有受到昨天被太阳最后一节逆转的影响，最终兵不血刃的击败森林狼取得胜利。 布鲁克斯拿下13分3助攻，阿里扎18分4篮板，斯科拉20分16篮板，海耶斯11分10篮板。 替补后卫洛瑞也拿下11分4篮板4助攻。 森林狼方面新狼王艾尔-杰弗森拿下20分10篮板，新秀弗林9分。 在姚明本赛季不能出场，麦迪还没有完全恢复的情况下，火箭的这支平民球队还是发挥出了巨大能量，每个球员都发挥了自己的特点，打出了精彩的团队篮球，拿下森林狼。 大家一起为火箭加油吧，也期待姚明伤愈复出，麦迪王者归来!
英特尔 酷睿2 E4500+如何超频
不过基本的意思是一样的，详细请参考自己的主板说明书找到下面对应的选项： 开机按DEL进入CMOS设置主要需要关注的有如下几个项，一般都类似 Standard CMOS Features 设置系统日期 时间 以及软硬盘规格等. Advanced BIOS Features 设置开机磁盘顺序进阶功能.开机显示装置选择 integrated peripherals 所有周边设备设置 PC Health Status 显示系统探测到的温度 电压 风扇转速 MB intelligent tweaker(M.I.T) 有的主板显示的是 OverClock Navigator Engine 调整CPU和内存的 频率 电压 时序首先先在Advanced Bios Features如果CPU支持节能功能推荐先将 CPU Enhanced Halt(C1E)以及CPU EIST Function 关闭.避免影响到超频的稳定性.将Full Screen LOGO show 设置成DISABLED这样做是方便在开机的时候能看早CPU的外频内存分频等信息确认是否OC正常点亮还是退回原始频率。 然后在ntegrated peripherals 里将集成的声卡以及网卡禁用..可以使超频受到的影响降到最低...当然如果不是跑极限频率可以无视这步骤!接着进入 PC Health Status可以看到CPU风扇的转速 主板风扇的转速 各个电压的确切值 CPU温度 主板芯片温度等 觉得眼花吧~哈哈.那就无视..把Smart FAN Control 设置为Disable 使CPU风扇全速运转.之后的设置就完全看不同体质的CPU和内存了，这个只有经过自己的调试才能得倒最佳的性能和稳定性，先给出如下设置项的介绍，请依据自己的主板找到对应项.进入MB intelligent tweaker(M.I.T) 选项(GIGA的主板直接进入的画是看不到内存的小参设置的~需按Ctrl+F1打开隐藏的选项)温馨提示:不当的超频或过高的电压是会造成CPU 以及 内存 烧毁 或是 减少使用寿命的.进入MB intelligent tweaker(M.I.T)以后主要关注的是:CPU Host Frequency（MHZ）是外频设置选项以这颗Q6600为例..默认的外频是 Clock Ratio 是倍频选项的设置选项.我颗Q6600为例..默认的外频是9... 可以在6-9之间调节PCI Express Frequency（MHZ）是PCI-E频率调节设置选项可以设置PCI-E接口的频率~默认为100MHzSystem Memmory Multiplier 内存分频设置.可以调节的范围根据你的CPU的FSB变化,默认是情况下是根据内存的SPD来设定的 Frequency (Mhz) 内存的参数设置.这个选项的第一排显示的数值是你的内存的标准时序第二个选项是供你修改的!将CPU Host Clock Control设置为Enable；开启这个选项打开以后你就可以自己调节CPU的外频啦~System VolTage Control 系统自己调节电压.推荐设置成Manual由我们自己来调节 vid control CPU电压选项 建议设置为AUTO 默认电压DDR2 OverVoltage Control 内存电压 建议在第一次OC的时候选择2.1V 一般来说内存在2.1V的电压内长期跑都是没什么问题的，不知道是什么条子，体质如何。 的情况下 可以2.1起跑。 如果2.1V能稳定跑，可以尝试降到2.0 1.9这样内存的发热量会小些，特别是夏天散热不好的话内存容易温度过高而死机。 G)MCH OverVoltage Control 北桥电压 一般情况下默认设置就可以了 跑极限的话要根据情况增加FSB OverVoltag Control 前端总线电压设置 一般情况下默认设置就可以了 跑极限的话要根据情况增加接下来就是调试喽~步骤1 CPU的电压 设置为ATUO 默认电压，现在的板子都有偷加电压的习惯，默认设置会比默认电压稍微高一点，OC起来容易些.跑高频率的话要根据情况增加Memorry voltage 内存电压 设置为2.1V 稍微加点内存电压，预防内存成为OC的瓶颈CPU Host Frequency（MHZ）设置为400 ，有着强大的Core构架的6系列的U完全可以轻松的跑400外频..除非你RPTW遇到超级无敌大地雷了 Clock Ratio 设置为 8 ，有的人问为什么不设置9呢~那频率不是更高么？这里白建议大家超频不要操之过急，先慢慢的熟悉你的系统。 熟悉你的CPU的体质。 再慢慢的提升才是最安全的方法。 将PCI Express Frequency（MHZ）设置为100 免得超频对PCI-E的频率造成影响..跑极限的话可以考虑适当的+1-4将System Memmory Multiplier 设置为2.0 内存分频1:1 也就是CPU和内存同步超频.这是对内存要求最低的分频了.追求性能的朋友可以根据内存体质来调节更高的频率 Frequency (Mhz) 内存小参设置 先设置为Auto以免成为超频的瓶颈其他设置默认 按F10 保存设置重起。 如果点亮进入系统，稳定跑测试，则可以有两种选择1进入步骤2，或者把CPU外频 再调高10-50,重复步骤1。 如果开机进系统不稳定，则把CPU的外频调地低10～20，重复步骤1。 如果开不了机请等待系统会自动恢复BIOS的默认设置.重新进入BIOS设置把CPU Frequency调地低10～20，重复步骤1。 如果等待N久还开不了机，则需要打开机箱，把CMOS跳线更改到清空位置3～5秒，然后改回跳线，这时候CMOS回还原到出厂设置。 以上做的方法是为了找到CPU的最高频率。 步骤2，在步骤1稳定运行的前提下，这个步骤主要是内存调节，把System Memmory Multiplier内存分频设置为800或1000。 如何设置看内存体质了。 然后进入Memory Frequency (Mhz) 内存时序 选项 先将TCL 设置为4，TRCP设置为4 ，TRP设置为4 ，TRAS设置为12，按F10保存重启。 如果，开不了机器，则将TCL 设置为5，TRCP设置为5 ，TRP设置为5 ，TRAS设置为15!最后调试出最佳的内存时序，这是一个比较靠经验的过程，不太清楚也可以不改。 当然有时候要内存频率和CPU频率均衡的话，CPU要适当的降频或者调解倍频。 当步骤2设置完成后都能稳跑的话，可以开始尝试降低CPU和内存的电压了，可以把CPU电压逐步调低，内存电压也逐步调低2.1V的内存电压完全有可能调低倒1.9或2V。 当然你也可以把倍频设置低一级再从步骤1开始，具体内存频率等的计算看上面面的内存系数。 当然要把机器调整倒最佳状态，需要花很多次的尝试，很多的时间，当然也要有些经验。
离子半径的离子半径大小的判断方法
1、同一元素的微粒，电子数越多，半径越大。 如钠原子>钠离子，氯原子<氯离子2、同一周期内元素的微粒，阴离子半径大于阳离子半径。 如氧离子>锂离子3、同类离子与原子半径比较相同。 如钠离子>镁离子>铝离子，氟离子<氯离子<溴离子4、具有相同电子层结构的离子（单核），核电荷数越小，半径越大。 如氧离子>氟离子>钠离子>镁离子>铝离子 硫离子>氯离子>钾离子>钙离子5、同一元素高价阳离子半径小于低价阳离子半径，又小于金属的原子半径。 如铜离子<亚铜离子<铜原子 负二价硫>硫原子>四价硫>六价硫拓展资料描述离子大小的参数。 取决于离子所带电荷、电子分布和晶体结构型式。 设r阳为阳离子半径，r阴为阴离子半径。 r阳+r阴=键长。 r阳/r阴与晶体类型有关。 可从键长计算离子半径。 一般采用Goldschmidt半径和Pauling半径，皆是NaCl型结构配位数为6的数据。 Shannon考虑了配位数和电子自旋状态的影响，得到两套最新数据，其中一套数据，参考电子云密度图，阳离子半径比传统数据大14pm，阴离子小14pm，更接近晶体实际。
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